Кремниевая фотоника (Silicon Photonics, SiPh) — важнейшая технология, объединяющая оптические и электронные компоненты в одном кристалле. Сложность архитектуры таких микросхем требует специализированного оборудования для тестирования на уровне пластин, когда чип ещё не упакован.
Компания Eoulu разработала уникальную платформу F1 SiPh — компактную, интеллектуальную зондовую станцию с полным цифровым управлением, предназначенную для одновременного зондирования электронных и оптических элементов фотонных интегральных схем.
1. Задачи зондирования в кремниевой фотонике SiPh-чипы тестируются по четырём основным типам соединений:
Каждому типу соответствует своя методика тестирования и набор требований к точности позиционирования, согласованию импеданса, спектральной чувствительности и др.
2. Ключевые технические сложности
🔧 Проблемы при оптическом зондировании:
Высокая чувствительность к микроперемещениям (допуск <0.5 μм)
Совмещение оптики и электроники на ограниченной площади кристалла
Необходимость автоматического выравнивания оптоволокна
Влияние температуры и вибраций на стабильность сигнала
F1 SiPh решает эти задачи с помощью запатентованной архитектуры, гибридных систем совмещения, интеллектуального ПО и стабильной механики.
3. Платформа Eoulu F1 SiPh: технические преимущества
🧠 Архитектура управления:
Полностью цифровое управление на базе futureC / futureD
Технологии "Zero Error (C0)" и "Virtual Ruler" для компенсации неровностей
Автоматическое создание карты пластин, координатная навигация
Применение зондовых станций в различных отраслях
Ось
Ход
Максимальная скорость
Погрешность
X / Y
301 мм
до 150 мм/с
≤ 0.05 μm
Z
20 мм
до 35 мм/с
≤ 1 μm
Вращение Θ
±10°
–
±0.003°
Также обеспечивается точность блокировки по XY до 0.02 μm, стабилизация по Z — 0.65 μm.
4. Оптическая система двустороннего совмещения: Double-Sided Fiber Alignment
В основе лежит гибридная система из энкодеров и пьезоприводов с 18 активными осями. Это обеспечивает позиционирование волокон с разрешением до 2.5 нм, а также быстрый поиск сигнала по мощности.
Применение зондовых станций в различных отраслях
Параметр
Значение
X/Y/Z: грубое позиционирование
±6.5 / ±16 / ±8.5 мм
Углы: θX/θY/θZ
±14.5°, ±10°, ±10°
Пьезопривод (тонкая подстройка)
до 100 μm, шаг 0.3–2.5 нм
Поиск сигнала
< 0.3 с (градиентный метод)
Время сканирования 500 мкм зоны
< 5 с
5. AutoCal: автоматическая калибровка волокон
В комплекте с F1 SiPh поставляется SiPh AutoCal — программное обеспечение для калибровки:
Поддержка hexapod, nanocube, array и fiber-калибровки
Полностью автоматизированный цикл калибровки менее чем за 5 минут
Не требует ёмкостного датчика
Уменьшает требования к квалификации оператора
6. Термодержатель пластин (Chuck) и режимы тестирования
Для термостабилизации чака применяются жидкостные или воздушные термосистемы:
Применение зондовых станций в различных отраслях
Параметр
Значение
Температурный диапазон
-60 °C … +300 °C
Погрешность
±1 °C
Разрешение
0.1 °C
Время перехода (Liquid cool)
от -60 до 25 °C: 23 мин, до 300 °C: 28 мин
Утечка (Triax chuck)
≤ 132 fA
Шум
≤ 30 fA
7. Примеры измеряемых компонентов Ниже представлены основные типы фотонных устройств и методы, используемые для их измерения на стадии wafer-level:
AWG и MZI (решётки и интерферометры)
Оптические потери (insertion loss, IL)
Отражение (return loss, RL)
Спектр передачи
Метод измерения: Используется анализатор спектра оптического излучения (OSA) в связке с лазерным сканером. Это позволяет сканировать длины волн и строить спектральную характеристику устройства.
Фотодетекторы
Темновой ток (dark current)
Чувствительность
Метод измерения: Применяется SMU (Source Measure Unit) для подачи напряжения и регистрации тока, при этом оптический сигнал подаётся через выровненное волокно. Результаты позволяют оценить уровень фона и отклик на заданную мощность.
Модуляторы (например, MZM)
Напряжение π (Vπ)
Extinction Ratio (глубина модуляции)
Скорость переключения
Метод измерения: Используется RF-генератор и оптический тракт. При подаче высокочастотного сигнала анализируется амплитудная характеристика выходного света и его подавление. Результаты позволяют охарактеризовать быстродействие устройства.
Резонаторы (например, кольцевые — MRR)
Качество резонанса (Q-фактор)
Центральная длина волны резонанса
Метод измерения: Производится спектральное автосканирование с высоким разрешением, позволяющее точно определить узкие резонансные пики и вычислить добротность.
Лазеры
Спектр генерации
Оптическая мощность
Температурная стабильность
Метод измерения: Источник питания подаёт ток, а OSA анализирует спектр и мощность излучения. Можно отследить перемещение спектра в зависимости от нагрева и оценить поведение на различных токах.
Фильтры (например, AWG, MZI-фильтры, Bragg)
Проницаемость (transmission)
Изоляция между каналами
Метод измерения: Выполняется многоканальный оптический анализ, позволяющий одновременно регистрировать несколько выходов фильтра. Это необходимо для систем с демультиплексорами и спектральными решётками.
8. Специализированные аксессуары F1 SiPh
Применение зондовых станций в различных отраслях
Модуль
Назначение
AUX Chuck
Поддержка оптической калибровки (одиночное волокно, массив)
TopHat
Температурные тесты -40…+125 °C
Волоконные держатели
Поддержка краевого/вертикального соединения, наклоны 8–20°
Оптический датчик
800–1700 нм, 1550 нм пик, мощность до 18 мВт
9. Программное обеспечение и интеграция
futureC — управление движением, зондированием, измерительным циклом
futureD — сбор и визуализация массивов данных, статистика по кристаллам
Интеграция с внешними устройствами: OSA, SMU, VNA, лазеры, контроллеры
✅ Поддержка TCP/IP, SCPI, GPIB, LabVIEW, Python API
10. Заключение
Станция Eoulu F1 SiPh — это инновационная, компактная и высокоточная платформа для измерений кремниевой фотоники на уровне пластины.
Она объединяет:
Мехатронику с нанометровой точностью
Автоматическую калибровку положения волокон
Расширенные температурные режимы
Интеграцию с современными измерительными системами
Для российских компаний, работающих в сферах телеком, фотоники, квантовой оптики и микроэлектроники, F1 SiPh открывает возможности мирового уровня в рамках собственной производственной и исследовательской инфраструктуры.